6月13日音讯，国度学问产权局信息表露，合肥晶书册成电路股份有限公司肯求一项名为“半导体邦畿结构及双栅氧化层制备阵势”的专利。肯求公布号为CN122205953A，肯求号为CN202610663071.2，肯求公布日历为2026年6月12日，肯求日历为2026年5月14日，发明东说念主徐锐、宋聪强，专利代理机构华进蚁集专利商标代理有限公司，专利代理师杨明莉，分类号H10D89/10、H10P76/20、H10D64/01。

专利节录表露，本公开触及半导体制造时刻范围，具体触及一种半导体邦畿结构及双栅氧化层制备阵势，其中，第一光刻胶图形沿第一标的延长，沿第一标的的尺寸为L1，开云体育app2026世界杯中国官网下载沿第二标的的尺寸为W1；第二光刻胶图形沿第二标的延长，沿第一标的的尺寸为W2，沿第二标的的尺寸为L2；在第一光刻胶图形与第二光刻胶图形相交的情况下，W1、W2均小于第一方针值，L1、L2均小于第二方针值；在W1、W2中至少一个大于即是第一方针值，或L1、L2中至少一个大于即是第二方针值的情况下，第一光刻胶图形与第二光刻胶图形的间距大于方针间距值，方针间距值关联于第二方针值与第一方针值的比值。至少梗概有用减少基于光刻胶刻蚀经由中的残留物，大阳城(Suncity Group)幸免产生因残留物损害衬底。

晶书册成确立于2015年5月19日，于2023年5月5日在上海证券来回所上市，注册地址和办公地址均触及安徽省合肥市。该公司是国内跳跃的12英寸晶圆代工企业，具备先进工艺研发与利用才能，投资价值突显。

晶书册成主要从事12英寸晶圆代工业务，专注于研发并利用先进工艺，为客户提供多制程节点、不同工艺平台的晶圆代工就业。公司所属申万行业为电子-半导体-集成电路制造，触及MCU主意、MR头显、MiniLED等主意板块。

2025年，晶书册成贸易收入为108.85亿元，行业排行4/7，行业第别称中芯海外为673.23亿元，第二名华虹宏力为172.91亿元，行业平均数为166.12亿元，中位数为108.85亿元。其主贸易务组成中，集成电路晶圆制造代工收入103.57亿元，占比95.14%。净利润方面，2025年为4.66亿元，行业排行4/7，行业第别称中芯海外为72.09亿元，第二名赛微电子为13.88亿元，行业平均数为9.67亿元，中位数为4.66亿元。

合肥晶书册成电路股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利称呼专利类型法律景况肯求号肯求日历公开(公告)号公开(公告)日历发明东说念主1检索模子的老师阵势、检索阵势和电子开辟发明专利公布CN202610674244.02026-05-15CN122198022A2026-06-12张潇、郭雅静、萧礼明、张贺、蒋治纬2LDMOS器件的阈值电压的APC阵势、系统、介质及产物发明专利公布CN202610667846.32026-05-15CN122205903A2026-06-12陈晓妍、王梦慧3一种半导体器件过甚制作阵势发明专利公布CN202610660032.72026-05-14CN122205918A2026-06-12韩小虎、邓少鹏4半导体邦畿结构及双栅氧化层制备阵势发明专利公布CN202610663071.22026-05-14CN122205953A2026-06-12徐锐、宋聪强5一种半导体器件过甚制作阵势发明专利公布CN202610659999.32026-05-14CN122205917A2026-06-12韩小虎、邓少鹏6芯片布局模子的老师阵势、芯片布局阵势及相关安装发明专利公布CN202610646614.X2026-05-12CN122174775A2026-06-09郭雅静、张潇、皆天翔、萧礼明、蒋治纬7半导体结构及制备阵势发明专利公布CN202610644817.52026-05-12CN122180135A2026-06-09巫振伟、汪雪春8一种半导体器件的测试阵势及测试安装发明专利公布CN202610644841.92026-05-12CN122193862A2026-06-12刘至宜、汪小小、陈帅、张慧玲9光阻层的酿成阵势及半导体结构发明专利公布CN202610637283.32026-05-11CN122161422A2026-06-05赵志豪、李海峰、沈俊明10半导体结构、栅极结构的制备阵势及裁汰裂缝的阵势发明专利公布CN202610627967.52026-05-09CN122180129A2026-06-09张鑫、周晓慧、马亚强、陈学刚11半导体结构及制备阵势发明专利公布CN202610602466.12026-05-06CN122138409A2026-06-02胡文婷、许春龙、陈婉露12用于工艺监测的要道尺寸条形结构及要道尺寸监测阵势发明专利公布CN202610605065.12026-05-06CN122138671A2026-06-02黄周远、许春龙、孟娟13OPC模子的改动阵势、系统及规划机可读存储介质发明专利公布CN202610590152.42026-04-30CN122113466A2026-05-29王康、罗招龙14一种光刻套刻过失的抵偿阵势、系统和开辟发明专利公布CN202610588770.52026-04-30CN122110631A2026-05-29何赵鑫、黄胜15精熟孔制备阵势及背照式图像传感器的制备阵势发明专利公布CN202610578907.92026-04-29CN122121294A2026-05-29郇小伟、金文祥、褚冉16一种掩膜邦畿优化阵势、开辟、存储介质及设施产物发明专利公布CN202610570245.02026-04-28CN122110595A2026-05-29赵广、罗招龙、张国乾17裁汰F离子注入在CIS产物上产生白像素的阵势及系统发明专利现实审查的告成、公布CN202610551158.02026-04-24CN122094205A2026-05-26吝辉辉、王曼真、郭瑞、姚智、李维泽18半导体结构过甚制备阵势发明专利现实审查的告成、公布CN202610544911.32026-04-23CN122094153A2026-05-26王文智、王仲盛19半导体器件过甚制造阵势发明专利现实审查的告成、公布CN202610525621.42026-04-21CN122069775A2026-05-19运广涛、邵章一又、苏圣哲、罗钦贤20静态存储器的最小责任电压的量度阵势发明专利现实审查的告成、公布CN202610525469.X2026-04-21CN122067580A2026-05-19田志锋、沈洁21一种SRAM集成电路结构、静态立时存取存储器过甚制备阵势发明专利现实审查的告成、公布CN202610526758.12026-04-21CN122094097A2026-05-26王文智、刘哲儒、刘飞飞22一种SRAM集成电路结构、静态立时存取存储器过甚制备阵势发明专利现实审查的告成、公布CN202610526755.82026-04-21CN122094096A2026-05-26王文智、刘哲儒、刘飞飞23一种半导体结构的制备阵势发明专利现实审查的告成、公布CN202610516789.92026-04-20CN122069999A2026-05-19张璐、高倩倩、朱鹏飞、谈胜福、游奕廷24一种战役孔过甚酿成阵势发明专利现实审查的告成、公布CN202610516915.02026-04-20CN122070006A2026-05-19贾涛、董宗谕、王佳佳25半导体结构的制作阵势及半导体结构发明专利现实审查的告成、公布CN202610508501.32026-04-17CN122069766A2026-05-19高佑琳、高志杰、盛云、王瑞26半导体结构过甚制备阵势发明专利现实审查的告成、公布CN202610502429.32026-04-16CN122028719A2026-05-12李飞、董宗谕27半导体器件过甚制作阵势发明专利现实审查的告成、公布CN202610500449.72026-04-16CN122028718A2026-05-12李飞、董宗谕28一种半导体结构过甚制造阵势发明专利现实审查的告成、公布CN202610491922.X2026-04-15CN122054986A2026-05-15陈东、王晓娟、韩领、康绍磊29半导体结构过甚制备阵势发明专利现实审查的告成、公布CN202610479111.82026-04-13CN122028725A2026-05-12宋富冉、刘乃硕30光学左近效应修正模子的改动阵势及数据收罗阵势发明专利现实审查的告成、公布CN202610476328.32026-04-13CN122018227A2026-05-12王康、罗招龙31电性测试结构过甚测试阵势发明专利现实审查的告成、公布CN202610476299.02026-04-13CN122028713A2026-05-12刘站峰、汪小小、马婷、陈信全、张曼32伽马电阻的阻值波动的监控阵势发明专利现实审查的告成、公布CN202610475623.72026-04-13CN122028712A2026-05-12李健、邵迎亚、汪雪春33一种半导体芯片的邦畿遐想阵势及邦畿遐想系统发明专利现实审查的告成、公布CN202610475734.82026-04-13CN122047157A2026-05-15杨杰、郭哲劭、郭廷晃34黄光制程曝光能量细目阵势、电子开辟和存储介质发明专利现实审查的告成、公布CN202610466856.02026-04-10CN121995712A2026-05-08胡玉明35一种半导体结构的制备阵势和半导体结构发明专利现实审查的告成、公布CN202610466026.82026-04-10CN122003143A2026-05-08李雯琴、王文轩36一种化学气相千里积开辟过甚温度适度阵势发明专利现实审查的告成、公布CN202610468112.22026-04-10CN122013156A2026-05-12黄看看、王松、周丹玫、胡万春37晶体管结构过甚制备阵势发明专利公布CN202610468691.02026-04-10CN122121263A2026-05-29张帅博、郭廷晃38铝衬垫制备阵势及半导体发明专利现实审查的告成、公布CN202610460164.52026-04-09CN121985860A2026-05-05张正、季小龙、韩壮壮、沐凡、魏榕39一种去除自瞄准硅化物中未响应镍铂合金的阵势发明专利现实审查的告成、公布CN202610458132.12026-04-09CN121985755A2026-05-05曹平、刘苏涛40半导体器件的裂缝测试阵势和半导体器件发明专利现实审查的告成、公布CN202610460537.92026-04-09CN122003137A2026-05-08董琳、王仲盛、毛辰辰、姜攀41半导体结构、制备阵势、键合阵势及半导体器件发明专利现实审查的告成、公布CN202610449908.32026-04-08CN121985808A2026-05-05伍德超、郝小强、梁健42套刻象征结构过甚制造阵势、套刻象征尺寸聘请阵势发明专利现实审查的告成、公布CN202610442492.22026-04-07CN121978874A2026-05-05刘华龙、张祥平43半浮栅晶体管过甚制备阵势、包含其的存储器件发明专利现实审查的告成、公布CN202610432589.52026-04-03CN121968657A2026-05-01李猛猛44LDMOS器件过甚制备阵势发明专利现实审查的告成、公布CN202610433072.82026-04-03CN121968623A2026-05-01刘东山、吴其洪45半导体结构制备阵势及半导体结构发明专利现实审查的告成、公布CN202610435065.12026-04-03CN121985805A2026-05-05王文智46电容结构过甚制造阵势发明专利现实审查的告成、公布CN202610436485.12026-04-03CN121985540A2026-05-05刘曙光、蔡承佑、丁好意思平、陆莹莹、周迪47半导体测试结构及阵势发明专利现实审查的告成、公布CN202610425182.X2026-04-02CN121969117A2026-05-01陈文璟、邵迎亚、汪雪春48半导体测试结构及厚度测量阵势发明专利现实审查的告成、公布CN202610427694.X2026-04-02CN121969118A2026-05-01张盖、王雪、梁栋栋49图像传感结构、传感器及制备阵势发明专利现实审查的告成、公布CN202610416871.42026-04-01CN121968751A2026-05-01陈维邦50一种半导体开辟参数全体变差自动识别阵势及系统发明专利现实审查的告成、公布CN202610419236.12026-04-01CN121959384A2026-05-01姚晨辉、李惠玉、简炜宸、陈俊雄、梅红伟大阳城(Suncity Group)