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　　证券日报网讯 3月10日，中瓷电子在互动平台恢复投资者发问时示意，1000V平台条款功率器件耐压≥1500V（留足电压尖峰冗余）。SiC击穿场强是硅的10倍、禁带宽度3倍，可告成撑握1000V母线，SuncityGroup幸免硅基IGBT复杂多级拓扑与击穿风险。全域1000V平台必须招揽SiC功率器件（MOSFET/模块），硅基有盘算无法餍足耐压、成果、功率密度条款。子公司国联万众已有有关碳化硅MOSFET芯片适用于新动力汽车1000V高压平台，且已有终局客户在考证试用。

（著作起首：证券日报）

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